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MINI-CIRCUITS開(kāi)關(guān)ZX80-DR230-S+

產(chǎn)品介紹

ZX80-DR230-S+是一款50Ω高隔離度SPDT RF開(kāi)關(guān),專為無(wú)線應(yīng)用而設(shè)計(jì),涵蓋了直流至3GHz的寬頻率范圍,插入損耗低。 ZX80-DR230-S+可在單個(gè)電源電壓范圍為+ 2.7V至+ 5V。 該單元包括一個(gè)帶有兩引腳控制的內(nèi)部CMOS控制驅(qū)動(dòng)器。ZX80-DR230-S+使用獨(dú)特的外殼包裝生產(chǎn),堅(jiān)固耐用,可在惡劣環(huán)境下操作。

性能特點(diǎn)

整個(gè)頻率范圍內(nèi)的低插入損耗

整個(gè)頻率范圍內(nèi)的高隔離度

高輸入 IP3,+55 dBm typ.

單一正電源電壓,+2.7V 至 +5V

獨(dú)特的設(shè)計(jì)--同時(shí)關(guān)閉 RF1 和 RF2

堅(jiān)固的一體式外殼

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:美國(guó)

VDD,電源電壓:2.7-5.0 V

電源電流(VDD = 5V):0.5-1.0 mA

控制電壓低:0.4 V

控制電壓高:2.4 V

控制電流(每個(gè)引腳):0.5 - 1.0 mA

切換時(shí)間,50% CTRL 至 90/10% RF:2.0 µSec

視頻饋通,5 MHZ - 1000 MHz:15 mVp-p

工作溫度:-40°C 至 85°C

存儲(chǔ)溫度:-55°C至100°C

VDD,電源電壓:-0.3V Min. 6V Max

控制電壓:-0.3V Min. 6V Max

ESD,HBM:1000V

射頻輸入功率

當(dāng)公共端口與 RF 端口(RF1 或 RF2)連接時(shí):+33dBm

RF 端口(RF1 或 RF2)未連接至公共端口時(shí):+24dBm

當(dāng)公共端口未連接至 RF1 或 RF2 時(shí):+24dBm

重量:56.0

產(chǎn)品尺寸

單位

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

M

N

P

Q

R

S

英寸

1.780

0.110

0.115

0.750

0.106

0.430

0.100

0.270

0.350

0.500

0.420

0.610

0.370

0.500

0.400

0.500

0.380

毫米

45.21

2.79

2.92

19.05

2.69

10.92

2.54

6.86

8.89

12.70

10.67

15.49

9.39

12.70

10.16

12.70

9.65

詳細(xì)參數(shù)

參數(shù)

條件

Min

Typ.

Max

單位

工作頻率

 

DC(note 3)

 

3000

Mhz

插入損失

1 GHz

2 GHz

3 GHz

 

0.7

0.9

1.2

1.3

1.6

1.8

dB

公共端口和RF1ARF2端口之間的隔離

 

1 GHz

2 GHz

3 GHz

55

46

35

64

50

44

 

dB

RF1和RF2端口之間的隔離

1 GHz

2 GHz

3 GHz

60

54

37

63

60

48

 

dB

普通端口回波損耗

 

1 GHz

2 GHz

3 GHz

 

20

17

15

 

dB

RF1 / RF2端口的回波損耗

 

1 GHz

2 GHz

3 GHz

 

17

15

15

 

dB

InputIp2

(注1)

5 MHz - 1000 MHz

 

+80

 

dBm

輸入IP3

(注1)

10 MHz - 3000MHz

 

+55

 

dBm

輸入1dB壓縮

(注釋1,2)

1000 MHz

+28

+31

 

dBm

 

 


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