OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個(gè)公共集電極,該集電極連接到單個(gè)焊盤,每個(gè)發(fā)射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學(xué)間距為 0.45 mm,LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個(gè)元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm2。
該產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是硅傳感器的高度均勻性,由于單片結(jié)構(gòu)和受控的微電子過程,信號(hào)的高穩(wěn)定性和高光學(xué)響應(yīng)性,由于沉積在光電晶體管區(qū)域上的抗反射涂層。
該設(shè)備采用薄塑料薄膜保護(hù),可抵抗回流爐工藝。一旦將設(shè)備組裝到電子板上,就須去除薄膜,用戶可以安裝光學(xué)標(biāo)線片。尺寸減小,以優(yōu)化成本和編碼器空間。兩個(gè)參考標(biāo)記可用于準(zhǔn)確的標(biāo)線定位。
工作溫度范圍:-40 100 °C
儲(chǔ)存溫度:-40 100 °C
引線溫度(焊錫)3s:230 °C
集電極-發(fā)射極擊穿電壓@TA=25°C IB=100nA IC=1mA:50 V
功耗,TA=25°C 時(shí):150 mW
靜電放電敏感性:3級(jí)
暗電流 VR=10V:典型5nA,max.100 nA
響應(yīng)度:0.5 A/W
峰值響應(yīng)度 VCE=5V:750 nm
光譜帶寬@50% VCE=5V:500…950 nm
發(fā)射極-集電極電流 VCE=7.7V:0.025…100 μA
集電極-發(fā)射極電流 VCE=52V:0.025…100 μA
增益 VCC=5V IC=2mA:典型500,min.1100,max.500
飽和電壓 IE=2mA IB=20μA:80…200 mV
通態(tài)集電極電流 VCE=5V EE=1.0mW/cm2:1 mA
上升時(shí)間VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs
下降時(shí)間 VCC=5V IC=1mA R1=1kΩ:10 μs
光電晶體管有效面積:0.125 mm2
有效區(qū)域長(zhǎng)度:0.25 mm
有效區(qū)域?qū)挾龋?.50 mm
光學(xué)編碼器
增量編碼器
光接收器
控制/驅(qū)動(dòng)
光傳感器